شبیه سازی رفتار ترانزیستور fet فراپیوندی از جنس algan/gan

ترانزیستورهای اثر میدانی فراپیوندی مبتنی بر gan جایگاه ویژه ای در کاربردهای مایکروویو توان بالا دارند. در همین راستا، مدل سازی و افزایش جریان خروجی و توان خروجی در فرکانس های مایکروویو اهمیت بسیاری دارد. در اغلب موارد اثر الکترون انتقالی در مدل سازی مشخصه ی جریان- ولتاژ hfetهای مبتنی بر نیمه هادی های iii-nitride نادیده گرفته می شود. در gan بالازدگی سرعت رانش الکترون و گاف انرژی، در مقایسه با سایر نیمه هادی ها مانند gaas و inp، بیش تر است. به همین دلیل در این گونه ترانزیستورها ضرورت اعمال این اثر در شبیه سازی رفتار جریان- ولتاژ بیش تر می باشد. در این پژوهش، مدلی برای سرعت الکترون با در نظر گرفتن تحرک منفی و بالازدگی سرعت حامل ها ارائه شده است و در مدل سازی دقیق مشخصه ی جریان- ولتاژ این ترانزیستورها و اعمال اثر الکترون انتقالی از این مدل سرعت رانش الکترون ها استفاده شده است. معادله ی پواسون و پارامترهای جریان نفوذی هسته ی اصلی حل عددی مشخصه می باشد. برای سنجش مدل ارائه شده، نتایج شبیه سازی با نتایج به دست آمده با مدل ridely که توصیف ساده ای از سرعت رانش الکترون ارائه می دهد، مقایسه شده است.